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IRFZ44NSTRLPBF  与  IPB50N10S3L-16  区别

型号 IRFZ44NSTRLPBF IPB50N10S3L-16
唯样编号 A32-IRFZ44NSTRLPBF A-IPB50N10S3L-16
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 17.5 mOhm 63 nC 3.8 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.5mΩ@25A,10V 15.4mΩ
Qg-栅极电荷 - 64nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 49A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1470pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 55V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),94W(Tc) 100W
典型关闭延迟时间 - 28ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS-T
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1470pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.5163
25+ :  ¥3.2558
100+ :  ¥3.0147
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ44NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥3.5163 

阶梯数 价格
1: ¥3.5163
25: ¥3.2558
100: ¥3.0147
200 当前型号
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

10.4mm D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7620-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7620-55A_SOT404

¥11.411 

阶梯数 价格
170: ¥11.411
400: ¥8.5797
800: ¥7.0325
0 对比
IPB50N10S3L-16 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50N10S3L16ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

10.4mm D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK9620-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9620-55A_SOT404

¥12.175 

阶梯数 价格
180: ¥12.175
400: ¥9.5117
800: ¥7.7965
0 对比

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