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IRFZ44NSTRLPBF  与  BUK9620-55A,118  区别

型号 IRFZ44NSTRLPBF BUK9620-55A,118
唯样编号 A32-IRFZ44NSTRLPBF A-BUK9620-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 17.5 mOhm 63 nC 3.8 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.5mΩ@25A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),94W(Tc) 118W
输出电容 - 290pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 49A 54A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1470pF @ 25V -
输入电容 - 1660pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 20mΩ@5V,18mΩ@10V,21mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1470pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.5163
25+ :  ¥3.2558
100+ :  ¥3.0147
180+ :  ¥12.175
400+ :  ¥9.5117
800+ :  ¥7.7965
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ44NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥3.5163 

阶梯数 价格
1: ¥3.5163
25: ¥3.2558
100: ¥3.0147
200 当前型号
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

10.4mm D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7620-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7620-55A_SOT404

¥11.411 

阶梯数 价格
170: ¥11.411
400: ¥8.5797
800: ¥7.0325
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10.4mm D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK9620-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9620-55A_SOT404

¥12.175 

阶梯数 价格
180: ¥12.175
400: ¥9.5117
800: ¥7.7965
0 对比

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