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IRFS4310TRLPBF  与  BUK965R8-100E,118  区别

型号 IRFS4310TRLPBF BUK965R8-100E,118
唯样编号 A32-IRFS4310TRLPBF A-BUK965R8-100E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 349W
输出电容 - 725pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 130A 120A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7670pF @ 50V -
输入电容 - 13100pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@5V,5.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7670pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
库存与单价
库存 34 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥18.399
25+ :  ¥17.6913
210+ :  ¥16.2018
400+ :  ¥13.7303
800+ :  ¥12.5966
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥18.399 

阶梯数 价格
1: ¥18.399
25: ¥17.6913
34 当前型号
STH110N10F7-2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

H2PAK

¥6.2748 

阶梯数 价格
1: ¥6.2748
2: ¥6.0239
4: ¥5.7828
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PSMN7R0-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100BS_TO-263-2

¥15.1058 

阶梯数 价格
10: ¥15.1058
100: ¥11.1895
400: ¥9.4826
800: ¥8.6996
145 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

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1: ¥23.8471
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BUK965R8-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK965R8-100E_SOT404

¥16.2018 

阶梯数 价格
210: ¥16.2018
400: ¥13.7303
800: ¥12.5966
0 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

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