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IRF3710ZPBF  与  IRF3710PBF  区别

型号 IRF3710ZPBF IRF3710PBF
唯样编号 A32-IRF3710ZPBF A-IRF3710PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC 160 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 Single N-Channel 100 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@35A,10V 23mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 160W(Tc) 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 59A 57A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V 3130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 24 1,000
工厂交货期 7 - 14天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥6.8948
暂无价格
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