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IRF1405PBF  与  PHP191NQ06LT,127  区别

型号 IRF1405PBF PHP191NQ06LT,127
唯样编号 A32-IRF1405PBF A-PHP191NQ06LT,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 330 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@101A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 300W
输出电容 - 1045pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 169A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
输入电容 - 7665pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@5V,3.7mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 60 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.5317
25+ :  ¥1.3205
50+ :  ¥1.1385
20+ :  ¥13.589
50+ :  ¥11.1385
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥1.5317 

阶梯数 价格
1: ¥1.5317
25: ¥1.3205
50: ¥1.1385
60 当前型号
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRFBA1405P Infineon  数据手册 功率MOSFET

SUPER220

暂无价格 0 对比
IPP052N06L3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP052N06L3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PHP191NQ06LT,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP191NQ06LT_SOT78

¥13.589 

阶梯数 价格
20: ¥13.589
50: ¥11.1385
0 对比

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