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IPD60R380C6ATMA1  与  IPD60R380C6  区别

型号 IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6
唯样编号 A32-IPD60R380C6ATMA1 A32-IPD60R380C6
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 83W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ
上升时间 - 10ns
Qg-栅极电荷 - 32nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 10V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10.6A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 3.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 320µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 100V
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 320uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - XPD60R380
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.6A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
库存与单价
库存 20 579
工厂交货期 7 - 14天 7 - 14天
单价(含税)
1+ :  ¥11.3293
1+ :  ¥8.6527
25+ :  ¥8.0116
100+ :  ¥7.4182
购买数量

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