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FQP30N06L  与  PSMN3R0-60PS,127  区别

型号 FQP30N06L PSMN3R0-60PS,127
唯样编号 A32-FQP30N06L A-PSMN3R0-60PS,127
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 40 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 79W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 35 毫欧 @ 16A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 306W
输出电容 - 971pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 32A(Tc) 100A
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 25V -
输入电容 - 8079pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
库存与单价
库存 8 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.9286
20+ :  ¥15.6625
50+ :  ¥12.8381
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