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FDP3632  与  IRFB4410Z  区别

型号 FDP3632 IRFB4410Z
唯样编号 A32-FDP3632 A-IRFB4410Z
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 310 W 110 nC PowerTrench Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 310W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9 毫欧 @ 80A,10V 9mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 12A(Ta),80A(Tc) 97A
Ptot max - 230.0W
QG - 83.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6000pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.64
RthJC max - 0.65K/W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 310W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 27.0nC
Mounting - THT
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 25 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 当前型号
PSMN012-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-80PS_SOT78 N-Channel 148W 175℃ 3V 80V 74A

¥7.9549 

阶梯数 价格
20: ¥7.9549
50: ¥6.5204
0 对比
IRFB4410Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

9mΩ 100V TO-220 N-Channel 20V 97A

暂无价格 0 对比
STP100N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V

暂无价格 0 对比
DMTH10H010LCT Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 108A(Tc) ±20V 2.4W(Ta),166W(Tc) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 100V 89A

¥11.0802 

阶梯数 价格
20: ¥11.0802
50: ¥9.0821
0 对比

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