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FDN337N  与  DMN3200U-7  区别

型号 FDN337N DMN3200U-7
唯样编号 A32-FDN337N A3-DMN3200U-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 650mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 90mΩ@2.2A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 290 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 2.2A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 1.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 5 42,500
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥1.6596
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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