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FDC6333C  与  DMG6601LVT-7  区别

型号 FDC6333C DMG6601LVT-7
唯样编号 A32-FDC6333C A3-DMG6601LVT-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6 N & P-Channel 30 V 110 mO Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 95m Ohms@2.5A,10V 55mΩ,110mΩ
上升时间 - 7.4ns,4.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW 1.3W
Qg-栅极电荷 - 12.3nC,13.8nC
栅极电压Vgs - 500mV,400mV
典型关闭延迟时间 - 31.2ns,18.3ns
FET类型 N+P-Channel N-Channel
封装/外壳 SuperSOT TSOT-26
连续漏极电流Id 2.5A/2A 3.8A,2.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® DMG6601
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 282pF @ 15V 422pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V 12.3nC @ 10V
下降时间 - 15.6ns,2.2ns
典型接通延迟时间 - 1.6ns,1.7ns
库存与单价
库存 1 38,500
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥0.6829
暂无价格
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