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FCH041N60E  与  IPW60R041P6FKSA1  区别

型号 FCH041N60E IPW60R041P6FKSA1
唯样编号 A32-FCH041N60E A-IPW60R041P6FKSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3 MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 481W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 41m Ohms@39A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 592W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 8180pF @ 100V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
连续漏极电流Id 77A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 2.96mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
系列 SuperFET® II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 13700pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 380nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 41 毫欧 @ 35.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 77.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 10 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.732
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCH041N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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1: ¥13.732
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TO-247-3

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1: ¥3.552
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IPW60R041P6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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