| 型号 | EM6J1T2R | VT6J1T2CR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A32-EM6J1T2R-1 | A-VT6J1T2CR | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 120mW | ||||||||||
| 上升时间 | - | 62ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 1.4nC | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | 1V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 325ns | ||||||||||
| FET类型 | 2P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563-6 | VMT-6 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 200mA | 100mA | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 系列 | EM6J1 | VT6J1 | ||||||||||
| 通道数量 | 2Channel | 2Channel | ||||||||||
| 配置 | Dual | Dual | ||||||||||
| 下降时间 | - | 137ns,137ns | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 46ns | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 1.2Ω@200mA,4.5V | 3.8Ω@100mA,4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 8,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55°C~150°C |
￥1.4044
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8,000 | 当前型号 | ||||||||||
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VT6J1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100mA 120mW 3.8Ω@100mA,4.5V 20V 1V VMT-6 -55°C~150°C P-Channel |
暂无价格 | 16,100 | 对比 | ||||||||||
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VT6J1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100mA 120mW 3.8Ω@100mA,4.5V 20V 1V VMT-6 -55°C~150°C P-Channel |
￥0.6076
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0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
