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DMT4002LPS-13  与  IPC100N04S51R7ATMA1  区别

型号 DMT4002LPS-13 IPC100N04S51R7ATMA1
唯样编号 A32-DMT4002LPS-13 A-IPC100N04S51R7ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 115W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2.3W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 1.8mΩ@25A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6771 pF @ 20 V 4810pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 116.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.4V @ 60uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 83nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.7 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 7V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 7,500 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.5795
25+ :  ¥4.2403
100+ :  ¥3.9262
1,000+ :  ¥3.6354
2,500+ :  ¥3.3661
5,000+ :  ¥3.2314
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 2.3W ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 40V 100A(Ta)

¥4.5795 

阶梯数 价格
1: ¥4.5795
25: ¥4.2403
100: ¥3.9262
1,000: ¥3.6354
2,500: ¥3.3661
5,000: ¥3.2314
7,500 当前型号
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