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CSD17310Q5A  与  BSC052N03LSATMA1  区别

型号 CSD17310Q5A BSC052N03LSATMA1
唯样编号 A32-CSD17310Q5A A36-BSC052N03LSATMA1
制造商 TI Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.1W(Ta) -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),28W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.1 毫欧 @ 20A,8V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 770pF @ 15V
栅极电压Vgs +10V,-8V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 21A(Ta),100A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 3V,8V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta),57A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 35 3,325
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥2.8788
25+ :  ¥2.4817
20+ :  ¥3.08
100+ :  ¥2.475
1,250+ :  ¥2.2
2,500+ :  ¥2.079
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

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阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
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¥3.08 

阶梯数 价格
20: ¥3.08
100: ¥2.475
1,250: ¥2.2
2,500: ¥2.079
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100: ¥2.3861
500: ¥2.3861
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IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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