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CSD17310Q5A  与  RS1E180BNTB  区别

型号 CSD17310Q5A RS1E180BNTB
唯样编号 A32-CSD17310Q5A A33-RS1E180BNTB
制造商 TI ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.1W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.1 毫欧 @ 20A,8V -
漏源极电压Vds 30V -
栅极电压Vgs +10V,-8V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 21A(Ta),100A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 3V,8V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.6nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 35 2,360
工厂交货期 7 - 14天 21 - 28天
单价(含税)
1+ :  ¥2.8788
25+ :  ¥2.4817
60+ :  ¥2.6831
100+ :  ¥2.3861
500+ :  ¥2.3861
1,000+ :  ¥2.3765
2,000+ :  ¥2.3669
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 当前型号
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_8-PowerTDFN

¥3.08 

阶梯数 价格
20: ¥3.08
100: ¥2.475
1,250: ¥2.2
2,500: ¥2.079
3,325 对比
RS1E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

¥2.6831 

阶梯数 价格
60: ¥2.6831
100: ¥2.3861
500: ¥2.3861
1,000: ¥2.3765
2,000: ¥2.3669
2,360 对比
BSC052N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LSATMA1_5.9mm

¥3.905 

阶梯数 价格
20: ¥3.905
100: ¥3.256
567 对比
BSC0906NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0906NSATMA1_5.9mm

¥1.936 

阶梯数 价格
30: ¥1.936
100: ¥1.551
279 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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