2SAR512PHZGT100 与 2SB1698T100 区别
| 型号 | 2SAR512PHZGT100 | 2SB1698T100 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-2SAR512PHZGT100-1 | A33-2SB1698T100 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | PNP, SOT-89, -30V -2A, MEDIUM PO | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 500mW | - | ||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 100nA(ICBO) | ||||||||
| 功率 | - | 2W | ||||||||
| 特征频率fT | 430MHz | - | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -400mV | - | ||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 370mV @ 50mA,1A | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-89 | MPT | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 270 @ 100mA,2V | ||||||||
| VCBO | -30V | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||
| 集电极电流Ic | -2A | - | ||||||||
| 频率-跃迁 | - | 280MHz | ||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 30V | ||||||||
| VEBO | -6V | - | ||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 1.5A | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -30V | - | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | - | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 1,000 | 619 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 28 - 35天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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2SAR512PHZGT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A 车规 PNP |
￥2.8505
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1,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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2SAR512P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A PNP |
暂无价格 | 7,170 | 对比 | ||||||||||||
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2SAR512P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A PNP |
￥2.2902
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5,000 | 对比 | ||||||||||||
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2SAR512P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A PNP |
￥1.4965
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1,000 | 对比 | ||||||||||||
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2SB1698T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
MPT PNP |
￥1.0243
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619 | 对比 | ||||||||||||
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2SAR512P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A PNP |
￥2.2902
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420 | 对比 |
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