2SAR502E3TL 与 2SAR502E3HZGTL 区别
| 型号 | 2SAR502E3TL | 2SAR502E3HZGTL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-2SAR502E3TL-1 | A33-2SAR502E3HZGTL | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | PNP, SOT-416, -30V -0.5A, General Purpose Transistor | PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor for Automotive | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | - | 520MHz | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -400mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | EMT3 | SOT-416 | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||
| VCBO | - | -30V | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | - | -500mA | ||||||||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 200 | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | - | -30V | ||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,100 | 2,800 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 28 - 35天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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2SAR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 PNP |
￥0.6415
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3,100 | 当前型号 | ||||||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
￥0.7839
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3,100 | 对比 | ||||||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
￥1.5864
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
￥0.9845
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2,800 | 对比 |
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