ZXMN6A09GTA 与 IRLL024ZPBF 区别
| 型号 | ZXMN6A09GTA | IRLL024ZPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-ZXMN6A09GTA | A-IRLL024ZPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ZXMN6A09G Series 60 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223 | Single N-Channel 55 V 2.8 W 11 nC Surface Mount Mosfet - SOT-223 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@8.2A,10V | 60mΩ@3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 5V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 7.5A | 5A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1407pF @ 40V | 380pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 24.2nC @ 5V | 11nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 380pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN6A09GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
|
|
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLL024ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@3A,10V N-Channel 55V 5A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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