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W9425G6KH-5  与  MT46V16M16P-5B:M  区别

型号 W9425G6KH-5 MT46V16M16P-5B:M
唯样编号 A3-W9425G6KH-5 A3-MT46V16M16P-5B:M
制造商 Winbond Micron Technology
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 双倍速率同步动态随机存储器(DDR) 异步动态随机存储器(DRAM)
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
存储器格式 DRAM DRAM
时钟频率 200MHz 200MHz
存储容量 256 Mbit 256 Mbit
电源电流—最大值 80 mA 175 mA
电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V 2.5 V ~ 2.7 V
访问时间 55ns 700ps
数据总线宽度 16 bit 16 bit
组织 16 M x 16 16 M x 16
封装/外壳 TSOP-66 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)
工作温度 0°C~70°C 0°C~70°C(TA)
系列 W9425G6KH MT46V
最大时钟频率 200 MHz 200 MHz
电源电压-最小 2.3 V 2.3 V
存储器类型 易失 易失
写周期时间 - 字,页 15ns 15ns
存储器接口 并联 并联
电源电压-最大 2.7 V 2.7 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
864+ :  ¥5.6245
1,000+ :  ¥16.9797
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
W9425G6KH-5 Winbond  数据手册 双倍速率同步动态随机存储器(DDR)

66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 66-TSOP II TSOP-66

¥5.6245 

阶梯数 价格
864: ¥5.6245
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MT46V16M16P-5B:M Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)

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MT46V16M16P-5B:M Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)

¥16.9797 

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1,000: ¥16.9797
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