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UM6J1NTN  与  SSM6P15FE(TE85L,F)  区别

型号 UM6J1NTN SSM6P15FE(TE85L,F)
唯样编号 A3-UM6J1NTN A-SSM6P15FE(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 150mW
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4Ω@200mA,10V -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 150mW -
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 12 欧姆 @ 10mA,4V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 9.1pF @ 3V
Vgs(th) - 1.7V @ 100uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 SOT-363 ES6
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.2A 100mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 10V -
FET功能 - 逻辑电平门
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
UM6J1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

1.4Ω@200mA,10V 150mW -55°C~150°C SOT-363 P-Channel -30V 0.2A ±20V

暂无价格 200 当前型号
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

2P-Channel ES6 150°C(TJ) 30V 100mA

暂无价格 0 对比

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