Si7850DP 与 SI7850DP-T1-GE3 区别
| 型号 | Si7850DP | SI7850DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-Si7850DP-1 | A3t-SI7850DP-T1-GE3 |
| 制造商 | XBLW | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A | Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 22mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.8W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | DFN5X6-8L | PowerPak-8 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 6.2A |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 27nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 5,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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Si7850DP | XBLW | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN5X6-8L |
暂无价格 | 5,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SI7850DP-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 60V |
￥26.8404
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2,957 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SI7850DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPak-8 N-Channel 60V 6.2A 22mΩ |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SI7850DP-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SI7850DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPak-8 N-Channel 60V 6.2A 22mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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