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Si7850DP  与  SI7850DP-T1-E3  区别

型号 Si7850DP SI7850DP-T1-E3
唯样编号 A3-Si7850DP-1 A36-SI7850DP-T1-E3
制造商 XBLW Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A Single N-Channel 60 V 22 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 DFN5X6-8L PowerPAK® SO-8
连续漏极电流Id - 6.2A(Ta)
工作温度 - -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs - 22 mOhms @ 10.3A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 5,000 440
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥5.06
100+ :  ¥4.224
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
Si7850DP XBLW  数据手册 功率MOSFET

DFN5X6-8L

暂无价格 5,000 当前型号
SI7850DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPak-8 N-Channel 60V 6.2A 22mΩ

¥4.7168 

阶梯数 价格
20: ¥4.7168
100: ¥3.9248
750: ¥3.6432
1,500: ¥3.4584
3,000: ¥3.3
21,000 对比
SI7850DP-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 60V

¥25.7959 

阶梯数 价格
6: ¥25.7959
10: ¥15.2073
30: ¥11.4319
50: ¥10.6748
100: ¥10.1095
300: ¥9.7262
500: ¥9.6495
1,000: ¥9.592
2,960 对比
SI7850DP-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 60V

¥5.06 

阶梯数 价格
10: ¥5.06
100: ¥4.224
440 对比
SI7850DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPak-8 N-Channel 60V 6.2A 22mΩ

暂无价格 0 对比

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