SUD19P06-60-GE3 与 RSD140P06TL 区别
| 型号 | SUD19P06-60-GE3 | RSD140P06TL | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-SUD19P06-60-GE3 | A33-RSD140P06TL-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | MOSFET P-CH 60V 14A CPT3 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 mOhms @ 10A,10V | - | ||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1900pF @ 10V | ||||||||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P 通道 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | CPT3 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 18.3A(Tc) | - | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 84 毫欧 @ 14A,10V | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 14A(Ta) | ||||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 27nC @ 10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 12,000 | 20,000 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 12,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
￥2.4888
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0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD140P06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 CPT3 |
￥7.2635
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20,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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FQD11P06TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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NTD20P06LT4G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-4 DPAK |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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