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STW77N65M5  与  SIHG64N65E-GE3  区别

型号 STW77N65M5 SIHG64N65E-GE3
唯样编号 A3-STW77N65M5 A-SIHG64N65E-GE3
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 47mΩ
上升时间 - 122ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 520W
Qg-栅极电荷 - 239nC
栅极电压Vgs - 4V
典型关闭延迟时间 - 213ns
封装/外壳 TO-247-3 TO-247AC-3
连续漏极电流Id - 64A
工作温度 - -55°C~150°C
系列 - E
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 103ns
典型接通延迟时间 - 66ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW77N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IPW65R041CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 500W(Tc) 41mΩ@33.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247 N-Channel 700V 68.5A

暂无价格 0 对比
IPW60R045CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 600V 60A 40mΩ 20V 431W N-Channel

暂无价格 0 对比
SIHG64N65E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

64A 520W 47mΩ 650V 4V TO-247AC-3 -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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