STW65N80K5 与 FCH072N60F 区别
| 型号 | STW65N80K5 | FCH072N60F |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STW65N80K5 | A-FCH072N60F |
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 46A TO247 | Single N-Channel 600 V 481 W 215 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 72m Ohms@26A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 481W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247 |
| 连续漏极电流Id | - | 52A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | FRFET®,SuperFET® II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 8660pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 215nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,140 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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STW65N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 1,140 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥184.3271
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥184.3271
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186 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 8 | 对比 | ||||||||||||||||||
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FCH072N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 72m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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