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STW56N60DM2  与  TK39N60W,S1VF  区别

型号 STW56N60DM2 TK39N60W,S1VF
唯样编号 A3-STW56N60DM2 A-TK39N60W,S1VF
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 270W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 65 毫欧 @ 19.4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4100 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 1.9mA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 110 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 38.8A(Ta)
FET功能 - 超级结
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 15,600 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW56N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 15,600 当前型号
TK39N60W,S1VF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270W(Tc) TO-247 150°C(TJ) 600 V 38.8A(Ta)

暂无价格 0 对比
R6077VNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel ±30V 600V 77A 0.042Ω@15V 781W

¥99.6666 

阶梯数 价格
2: ¥99.6666
5: ¥54.2939
10: ¥48.6211
30: ¥44.8457
50: ¥44.0887
60: ¥43.897
100: ¥43.5233
196 对比
R6077VNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel ±30V 600V 77A 0.042Ω@15V 781W

¥99.6666 

阶梯数 价格
2: ¥99.6666
5: ¥54.2939
10: ¥48.6211
30: ¥44.8457
50: ¥44.0887
60: ¥43.897
80 对比
R6077VNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel ±30V 600V 77A 0.042Ω@15V 781W

暂无价格 0 对比

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