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STW30N65M5  与  SIHG24N65E-GE3  区别

型号 STW30N65M5 SIHG24N65E-GE3
唯样编号 A3-STW30N65M5 A3t-SIHG24N65E-GE3
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3 E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id - 24A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 145 mOhms @ 12A,10V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 250W
Vgs(最大值) - ±30V
Vgs(th) - 4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW30N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

+22V,-4V 134W(Tc) 104mΩ@10A,18V 175°C(TJ) TO-247N N-Channel 650V 30A

¥119.5692 

阶梯数 价格
2: ¥119.5692
5: ¥68.0926
10: ¥61.6532
30: ¥57.3699
50: ¥56.5075
60: ¥56.2966
100: ¥55.8654
200: ¥55.5396
386 对比
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

+22V,-4V 134W(Tc) 104mΩ@10A,18V 175°C(TJ) TO-247N N-Channel 650V 30A

暂无价格 0 对比
IPW65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3

暂无价格 0 对比
AOK42S60L AOS 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 600V 30V 39A 417W 900mΩ@10V

暂无价格 0 对比
SIHG24N65E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

24A(Tc) N-Channel 145 mOhms @ 12A,10V 250W TO-247-3 -55°C~150°C 650V

暂无价格 0 对比

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