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STW26NM60N  与  STP26NM60N  区别

型号 STW26NM60N STP26NM60N
唯样编号 A3-STW26NM60N A-STP26NM60N
制造商 STMicroelectronics STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247 TO-220-3
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A 20A(Tc)
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥6.886 

阶梯数 价格
8: ¥6.886
100: ¥5.511
1,000: ¥5.28
6,105 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 900 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPW60R165CPFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R165CP_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK16N60W,S1VF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 130W(Tc) TO-247 150°C(TJ) 600 V 15.8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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