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STW26NM60N  与  FCH165N60E  区别

型号 STW26NM60N FCH165N60E
唯样编号 A3-STW26NM60N A-FCH165N60E
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 20A -
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 78,870 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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