STW19NM60N 与 R6020JNZ4C13 区别
| 型号 | STW19NM60N | R6020JNZ4C13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STW19NM60N | A3-R6020JNZ4C13 |
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO247 | MOSFET N-CH 600V 20A TO247G |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 252W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1500pF @ 100V |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247G |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 7V @ 3.5mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 234 毫欧 @ 10A,15V |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 15V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 20A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 45nC @ 15V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 5,922 | 55 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 15天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW19NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 5,922 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
|
|
R6020JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
¥67.2302
|
600 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
SPW17N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C 800V 17A 290mΩ@11A,10V ±20V 227W N-Channel TO-247-3 |
暂无价格 | 240 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
R6020JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
暂无价格 | 55 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
R6020JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
¥67.2302
|
9 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
R6020JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
暂无价格 | 0 | 对比 |