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STU8N80K5  与  IPU60R1K0CE  区别

型号 STU8N80K5 IPU60R1K0CE
唯样编号 A3-STU8N80K5 A-IPU60R1K0CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 6A TO251
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1000mΩ
Moisture Level - NA
漏源极电压Vds - 600V
Rth - 3.41K/W
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
FET类型 - N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-251-3 IPAK (TO-251)
Mounting - THT
连续漏极电流Id - 4.3A
工作温度 - -40°C~150°C
Ptot max - 37.0W
QG - 13.0nC
Budgetary Price €€/1k - 0.28
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STU8N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-251-3

暂无价格 0 当前型号
AOU4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-251 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPU60R1K0CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPU60R1K0CEAKMA1_1000mΩ 600V 4.3A IPAK (TO-251) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比

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