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STU6N60M2  与  SPU04N60C3  区别

型号 STU6N60M2 SPU04N60C3
唯样编号 A3-STU6N60M2 A-SPU04N60C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 950mΩ@2.8A,10V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 50W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 IPAK PG-TO251-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.5A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 490pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STU6N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

IPAK

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