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STP7NK80ZFP  与  IPA65R1K5CEXKSA1  区别

型号 STP7NK80ZFP IPA65R1K5CEXKSA1
唯样编号 A3-STP7NK80ZFP A-IPA65R1K5CEXKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 800 V 1.8 O SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 30W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.8Ω@2.6A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 30W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 225pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3 整包
工作温度 -55°C~150°C -40°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.2A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 130uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.5nC @ 10V
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.5 欧姆 @ 1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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