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STP60NF10  与  IRF8010PBF  区别

型号 STP60NF10 IRF8010PBF
唯样编号 A3-STP60NF10 A36-IRF8010PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15mΩ@45A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 260W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3830pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3830pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,860
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.557
100+ :  ¥6.039
1,000+ :  ¥5.599
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
7: ¥7.557
100: ¥6.039
1,000: ¥5.599
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1: ¥3.8776
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500: ¥2.4051
1,000: ¥1.9
995 对比

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