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STP55NF06L  与  IRFZ44VPBF  区别

型号 STP55NF06L IRFZ44VPBF
唯样编号 A3-STP55NF06L A-IRFZ44VPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16.5mΩ
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 115W
Qg-栅极电荷 - 44.7nC
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 55A
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1812pF @ 25V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1812pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP55NF06L STMicro  数据手册 通用MOSFET

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