STP4NK60ZFP 与 IRFIB6N60APBF 区别
| 型号 | STP4NK60ZFP | IRFIB6N60APBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP4NK60ZFP | A3t-IRFIB6N60APBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 600 V 0.75 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2Ω@2A,10V | 750 mOhms @ 3.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 25W(Tc) | 60W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220FP | TO-220-3 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 4A | 5.5A(Tc) |
| 系列 | SuperMESH™ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 510pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP4NK60ZFP | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 25W(Tc) 2Ω@2A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 4A |
暂无价格 | 20,000 | 当前型号 | ||||
|
IRFIB6N60APBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.5A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 3.3A,10V 60W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
￥7.83
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0 | 对比 | ||||
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IRFIB6N60APBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.5A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 3.3A,10V 60W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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