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STP40NF20  与  IRFB4620PBF  区别

型号 STP40NF20 IRFB4620PBF
唯样编号 A3-STP40NF20 A36-IRFB4620PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 72.5mΩ
上升时间 - 22.4ns
Qg-栅极电荷 - 25nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 37S
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 25A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 14.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 50V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 144W
典型关闭延迟时间 - 25.4ns
FET类型 - N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1710pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 13.4ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,464
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.425
100+ :  ¥5.94
1,000+ :  ¥5.489
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP40NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRFB38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥11.8822 

阶梯数 价格
20: ¥11.8822
50: ¥11.4989
100: ¥11.1156
500: ¥11.0198
1,000: ¥10.8282
1,824 对比
IRFB4620PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥7.425 

阶梯数 价格
7: ¥7.425
100: ¥5.94
1,000: ¥5.489
1,464 对比
IRFB260NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥8.261 

阶梯数 价格
7: ¥8.261
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