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STP33N60DM2  与  IPP60R099P7XKSA1  区别

型号 STP33N60DM2 IPP60R099P7XKSA1
唯样编号 A3-STP33N60DM2 A-IPP60R099P7XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 24A TO220 MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 117W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1952pF @ 400V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 530uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 99 毫欧 @ 10.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 31A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP33N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 2,000 当前型号
FCP104N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A

暂无价格 0 对比
TK25E60X,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 180W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 600 V 25A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPP65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R110CFDXKSA1_650V 31.2A 110mΩ 20V 277.8W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOT42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V ±30V 37A 417W 109mΩ@21A,10V -55°C~150°C

¥23.7636 

阶梯数 价格
340: ¥23.7636
0 对比
IPP60R099P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R099P7_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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