STP30NF20 与 IRFB5620PBF 区别
| 型号 | STP30NF20 | IRFB5620PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP30NF20 | A-IRFB5620PBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 200 V 0.075 Ohm STripFET™ Power Mosfet - TO-220 | Single N-Channel 200 V 144 W 25 nC Digital Audio Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 72.5mΩ@15A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 144W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 25A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1710pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1710pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP30NF20 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 50 | 当前型号 | ||||||||||||||
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FDP39N20 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 200V 39A(Tc) ±30V 66 毫欧 @ 19.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
￥10.6823
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995 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFB4020PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 100W(Tc) 100mΩ@11A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 18A 200V TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFB5620PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 72.5mΩ@15A,10V N-Channel 200V 25A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFB4620PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 25A 72.5mΩ 20V 144W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFB23N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 24A 100mΩ 30V 170W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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