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STP26NM60N  与  FCP165N60E  区别

型号 STP26NM60N FCP165N60E
唯样编号 A3-STP26NM60N A3-FCP165N60E
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 227W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 165 毫欧 @ 11.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A(Tc) 23A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V 2434pF @ 380V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V 75nC @ 10V
库存与单价
库存 900 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 900 当前型号
SCT2120AFC ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

暂无价格 0 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

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IPP60R180P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R180P7XKSA1_TO-220-3 N-Channel 72W 180mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C ±20V 650V 18A

暂无价格 0 对比

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