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STP26NM60N  与  SPP20N65C3  区别

型号 STP26NM60N SPP20N65C3
唯样编号 A3-STP26NM60N A-SPP20N65C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 200mΩ
上升时间 - 5ns
栅极电压Vgs ±30V 2.1V,3.9V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 20A(Tc) 20.7A
配置 - Single
QG (typ @10V) - 87.0 nC
Ptot max - 208.0W
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 4.5ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 2.07
漏源极电压Vds 600V 650V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 208W
Mode - Enhancement
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 0.6 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 900 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 900 当前型号
IPP60R180P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R180P7XKSA1_TO-220-3 N-Channel 72W 180mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C ±20V 650V 18A

暂无价格 500 对比
SCT2120AFC ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 对比
SPP20N65C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N65C3XKSA1_208W 200mΩ 650V 20.7A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPP60R160C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R160C6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPP20N65C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N65C3_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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