STP26NM60N 与 IPP60R180P7 区别
| 型号 | STP26NM60N | IPP60R180P7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP26NM60N | A-IPP60R180P7 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 165mΩ@10A,10V | 180mΩ@5.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | 72W |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | 18A |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 50V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 83,900 | 500 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc) |
暂无价格 | 83,900 | 当前型号 |
|
IPP60R180P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 N-Channel 72W 180mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C ±20V 650V 18A |
暂无价格 | 500 | 对比 |
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