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STP24N60M2  与  IPI50R199CP  区别

型号 STP24N60M2 IPI50R199CP
唯样编号 A3-STP24N60M2 A-IPI50R199CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 18A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 199mΩ
上升时间 - 14nS
漏源极电压Vds - 550V
Pd-功率耗散(Max) - 139W
Qg-栅极电荷 - 34nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 80nS
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id - 17A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 10.2mm
下降时间 - 10ns
高度 - 9.45mm
库存与单价
库存 100,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 100,000 当前型号
IPI50R199CP Infineon 功率MOSFET

IPI50R199CPXKSA1_550V 17A 199mΩ 20V 139W N-Channel -55°C~150°C

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FCP16N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

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IPP65R190CFDXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

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IPP60R190C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R190C6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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