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STP24N60DM2  与  IPP65R150CFD  区别

型号 STP24N60DM2 IPP65R150CFD
唯样编号 A3-STP24N60DM2 A-IPP65R150CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@9A,10V 135mΩ
上升时间 - 7.6ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 195.3W
Qg-栅极电荷 - 86nC
栅极电压Vgs ±25V 20V
典型关闭延迟时间 - 52.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18A 22.4A
系列 FDmesh™ II Plus CoolMOSCFD2
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 100V -
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5.6ns
典型接通延迟时间 - 12.4ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

暂无价格 2,000 当前型号
AOT20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPP65R150CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R150CFDXKSA1_650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOT27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V

暂无价格 0 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比

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