首页 > 商品目录 > > > > STP24N60DM2代替型号比较

STP24N60DM2  与  FCP165N60E  区别

型号 STP24N60DM2 FCP165N60E
唯样编号 A3-STP24N60DM2 A-FCP165N60E
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 227W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@9A,10V 165 毫欧 @ 11.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 23A(Tc)
系列 FDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2434pF @ 380V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 75nC @ 10V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

暂无价格 2,000 当前型号
AOT20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPP65R150CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R150CFDXKSA1_650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOT27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V

暂无价格 0 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售