首页 > 商品目录 > > > > STP15N65M5代替型号比较

STP15N65M5  与  IPP65R225C7  区别

型号 STP15N65M5 IPP65R225C7
唯样编号 A3-STP15N65M5 A-IPP65R225C7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N CH 650V 11A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 199mΩ
上升时间 - 6ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
Qg-栅极电荷 - 20nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 48ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 11A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC7
长度 - 10mm
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 9ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP15N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
FCP11N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Tc) ±30V 125W(Tc) 380mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 600V 11A

暂无价格 0 对比
IPP65R225C7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R225C7XKSA1_650V 11A 199mΩ 20V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPP65R310CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R310CFDXKSA1_N-Channel 11.4A 104.2W 280mΩ 650V 3.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
FCP380N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT15S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 650V 30V 15A 208W

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售