STP150N10F7 与 IRFB4110GPBF 区别
| 型号 | STP150N10F7 | IRFB4110GPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STP150N10F7 | A-IRFB4110GPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 110A TO220 | 100V, 4.5MOHM, 120A, TO-220 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.5mΩ@75A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 370W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 180A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9620pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 210nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9620pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 210nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP150N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOT292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V |
￥12.2449
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
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PSMN4R3-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 338W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFB4110GPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@75A,10V N-Channel 100V 180A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN5R0-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 338W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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