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STP13NM60N  与  SPP11N60C3XKSA1  区别

型号 STP13NM60N SPP11N60C3XKSA1
唯样编号 A3-STP13NM60N A-SPP11N60C3XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 11 A 0.36 Ohm Flange Mount MDmesh™ II Power MOSFET-TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ -
上升时间 8ns -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
栅极电压Vgs 25V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 11A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 380 毫欧 @ 7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 10ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 90W -
典型关闭延迟时间 30ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 500uA
系列 STP13NM60N -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 650V
典型接通延迟时间 3ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
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