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STP13NM60N  与  IPP65R310CFD  区别

型号 STP13NM60N IPP65R310CFD
唯样编号 A3-STP13NM60N A-IPP65R310CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 11 A 0.36 Ohm Flange Mount MDmesh™ II Power MOSFET-TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ 280mΩ
上升时间 8ns 7.5ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 90W 104.2W
Qg-栅极电荷 - 41 nC
栅极电压Vgs 25V 3.5V
典型关闭延迟时间 30ns 45ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 11A 11.4A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
系列 STP13NM60N CoolMOSCFD2
通道数量 1Channel 1 Channel
配置 Single Single
长度 - 10mm
下降时间 10ns 7ns
典型接通延迟时间 3ns 11ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 90,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

11A 90W 360mΩ 600V 25V TO-220-3 -55°C~150°C

暂无价格 90,000 当前型号
FCP11N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB N-Channel 600V 11A TO-220-3

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FCPF11N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 11A TO-220F-3

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FCP11N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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IPP65R310CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R310CFDXKSA1_N-Channel 11.4A 104.2W 280mΩ 650V 3.5V -55°C~150°C

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FCP360N65S3R0 ON Semiconductor 功率MOSFET

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