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STP13NM60N  与  FCP360N65S3R0  区别

型号 STP13NM60N FCP360N65S3R0
唯样编号 A3-STP13NM60N A-FCP360N65S3R0
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 11 A 0.36 Ohm Flange Mount MDmesh™ II Power MOSFET-TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ -
上升时间 8ns -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 90W -
栅极电压Vgs 25V -
典型关闭延迟时间 30ns -
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 11A -
工作温度 -55°C~150°C -
系列 STP13NM60N -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 10ns -
典型接通延迟时间 3ns -
库存与单价
库存 90,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

11A 90W 360mΩ 600V 25V TO-220-3 -55°C~150°C

暂无价格 90,000 当前型号
FCP11N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB N-Channel 600V 11A TO-220-3

暂无价格 0 对比
FCPF11N60 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 11A TO-220F-3

暂无价格 0 对比
FCP11N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11A(Tc) ±30V 125W(Tc) 380mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 600V 11A

暂无价格 0 对比
IPP65R310CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R310CFDXKSA1_N-Channel 11.4A 104.2W 280mΩ 650V 3.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
FCP360N65S3R0 ON Semiconductor 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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